Справочник MOSFET. CRSM053N08N

 

CRSM053N08N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CRSM053N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1057 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для CRSM053N08N

 

 

CRSM053N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  1
 crsm053n08n.pdf

CRSM053N08N CRSM053N08N

CRSM053N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m, 60AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche T

 ..2. Size:500K  crhj
 crsm053n08n.pdf

CRSM053N08N CRSM053N08N

CRSM053N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m, 60AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top