CRSM053N08N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CRSM053N08N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1057 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для CRSM053N08N
CRSM053N08N Datasheet (PDF)
crsm053n08n.pdf

CRSM053N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m, 60AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche T
crsm053n08n.pdf

CRSM053N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m, 60AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche T
Другие MOSFET... ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , 4N60 , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N .
History: IPD200N15N3 | STB9NK90Z
History: IPD200N15N3 | STB9NK90Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet