CRSM053N08N - описание и поиск аналогов

 

CRSM053N08N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRSM053N08N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1057 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для CRSM053N08N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSM053N08N даташит

 ..1. Size:500K  1
 crsm053n08n.pdf pdf_icon

CRSM053N08N

CRSM053N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m , 60A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche T

 ..2. Size:500K  crhj
 crsm053n08n.pdf pdf_icon

CRSM053N08N

CRSM053N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.7m , 60A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 60A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche T

Другие MOSFET... ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , 12N60 , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.