CRTD105N06L Todos los transistores

 

CRTD105N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRTD105N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CRTD105N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  crhj
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CRTD105N06L

CRTD105N06L() Trench N-MOSFET 60V, 8.5m, 64AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID64A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.1. Size:628K  crhj
 crtd110n03l.pdf pdf_icon

CRTD105N06L

CRTD110N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 9m Lead free and Green Device Available max. 11m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 11m High avalanche Current max. 13m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A ID (Package limited) 20A Application Power Tool Boost Converters for LED Lighting SMPS TO252 Absolute Maximum Rat

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History: NTTFS015P03P8Z | HYG055N08NS1B | RUH1H150R | IRF7379 | IRLU9343 | FBM75N68B | KCY3310A

 

 
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