CRTD105N06L - аналоги и даташиты транзистора

 

CRTD105N06L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CRTD105N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CRTD105N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD105N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  crhj
 crtd105n06l.pdf pdf_icon

CRTD105N06L

CRTD105N06L() Trench N-MOSFET 60V, 8.5m, 64AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID64A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.1. Size:628K  crhj
 crtd110n03l.pdf pdf_icon

CRTD105N06L

CRTD110N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 9m Lead free and Green Device Available max. 11m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 11m High avalanche Current max. 13m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A ID (Package limited) 20A Application Power Tool Boost Converters for LED Lighting SMPS TO252 Absolute Maximum Rat

Другие MOSFET... CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , 18N50 , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N .

History: TMP8N80 | SRC65R110BS | 2SK3109 | BSC0906NS | IPB015N04N6 | HCFL60R150 | IRLR8256PBF

 

 
Back to Top

 


 
.