CRTD105N06L - описание и поиск аналогов

 

CRTD105N06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTD105N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CRTD105N06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD105N06L даташит

 ..1. Size:530K  crhj
 crtd105n06l.pdf pdf_icon

CRTD105N06L

CRTD105N06L ( ) Trench N-MOSFET 60V, 8.5m , 64A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 64A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.1. Size:628K  crhj
 crtd110n03l.pdf pdf_icon

CRTD105N06L

CRTD110N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 9m Lead free and Green Device Available max. 11m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 11m High avalanche Current max. 13m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A ID (Package limited) 20A Application Power Tool Boost Converters for LED Lighting SMPS TO252 Absolute Maximum Rat

Другие MOSFET... CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , 18N50 , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N .

History: TPCA8004-H | TPCA8003-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.