CRTD110N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRTD110N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: TO252
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CRTD110N03L datasheet
crtd110n03l.pdf
CRTD110N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 9m Lead free and Green Device Available max. 11m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 11m High avalanche Current max. 13m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A ID (Package limited) 20A Application Power Tool Boost Converters for LED Lighting SMPS TO252 Absolute Maximum Rat
crtd105n06l.pdf
CRTD105N06L ( ) Trench N-MOSFET 60V, 8.5m , 64A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 64A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval
Otros transistores... CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , 20N50 , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR .
History: PSMN4R3-30BL | IPD033N06N | BUK963R3-60E | APT10090BLL
History: PSMN4R3-30BL | IPD033N06N | BUK963R3-60E | APT10090BLL
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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