CRTD110N03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CRTD110N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CRTD110N03L
CRTD110N03L Datasheet (PDF)
crtd110n03l.pdf
CRTD110N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 9m Lead free and Green Device Available max. 11m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 11m High avalanche Current max. 13m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A ID (Package limited) 20A Application Power Tool Boost Converters for LED Lighting SMPS TO252 Absolute Maximum Rat
crtd105n06l.pdf
CRTD105N06L() Trench N-MOSFET 60V, 8.5m, 64AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID64A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F