CRTE120N06L Todos los transistores

 

CRTE120N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRTE120N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CRTE120N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  crhj
 crte120n06l.pdf pdf_icon

CRTE120N06L

CRTE120N06L() Trench N-MOSFET 60V, 8.5m, 16AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID16A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

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History: AO8803 | SSF3641 | KP771A | 2N7121 | FDC3612

 

 
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