CRTE120N06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CRTE120N06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для CRTE120N06L
CRTE120N06L Datasheet (PDF)
crte120n06l.pdf
CRTE120N06L() Trench N-MOSFET 60V, 8.5m, 16AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID16A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918