Справочник MOSFET. CRTE120N06L

 

CRTE120N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRTE120N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для CRTE120N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTE120N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  crhj
 crte120n06l.pdf pdf_icon

CRTE120N06L

CRTE120N06L() Trench N-MOSFET 60V, 8.5m, 16AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 8.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID16A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

Другие MOSFET... CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CS150N03A8 , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T .

History: WSF45P10 | IRF7701GPBF | IPP90N06S4-04 | SIF10N40C | UTM4953 | IPI65R190CFD | IXTP56N15T

 

 
Back to Top

 


 
.