CRTS095N12N Todos los transistores

 

CRTS095N12N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRTS095N12N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 254 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 103 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de CRTS095N12N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CRTS095N12N datasheet

 ..1. Size:496K  crhj
 crts095n12n.pdf pdf_icon

CRTS095N12N

CRTS095N12N ( ) Trench N-MOSFET 120V, 7m , 112A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 112A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

 9.1. Size:485K  1
 crts084ne6n.pdf pdf_icon

CRTS095N12N

CRTS084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 68V, 6.8m , 83A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 83A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

 9.2. Size:485K  crhj
 crts084ne6n.pdf pdf_icon

CRTS095N12N

CRTS084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 68V, 6.8m , 83A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 83A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

 9.3. Size:573K  crhj
 crts030n04l.pdf pdf_icon

CRTS095N12N

CRTS030N04L ( ) Trench N-MOSFET 40V, 2.8m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor con

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , IRFZ24N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722

 

 

↑ Back to Top
.