CRTS095N12N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CRTS095N12N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CRTS095N12N
CRTS095N12N Datasheet (PDF)
crts095n12n.pdf

CRTS095N12N() Trench N-MOSFET 120V, 7m, 112AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID112A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
crts084ne6n.pdf

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
crts084ne6n.pdf

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
crts030n04l.pdf

CRTS030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.8m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con
Другие MOSFET... CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , AON6380 , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N .
History: HSM4407 | KIA2N60H-252 | NCE3008N | RU30E4B | WMQ37N03T1 | TMC8N65H | HRS88N08K
History: HSM4407 | KIA2N60H-252 | NCE3008N | RU30E4B | WMQ37N03T1 | TMC8N65H | HRS88N08K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722