SKD502T Todos los transistores

 

SKD502T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKD502T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1057 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SKD502T datasheet

 ..1. Size:601K  crhj
 skd502t skss055n08n.pdf pdf_icon

SKD502T

SKD502T, SKSS055N08N SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

 9.1. Size:569K  crhj
 skd503t skss042n10n.pdf pdf_icon

SKD502T

SKD503T, SKSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 3.6m ID Qualified according to JEDEC criteria 120A Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100%

Otros transistores... CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , AO3400A , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , SKTT077N07N , AS2308 , AS2309 .

History: IRL511

 

 

 


 
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