SKD502T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKD502T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1057 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO220

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SKD502T datasheet

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SKD502T

SKD502T, SKSS055N08N SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

 9.1. Size:569K  crhj
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SKD502T

SKD503T, SKSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 3.6m ID Qualified according to JEDEC criteria 120A Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100%

Otros transistores... CRTE120N06L, CRTM025N03L, CRTS030N04L, CRTS095N12N, CRTT029N06N, CRTT056N06N, CRTT084NE6N, CS3N150AHR, 60N06, SKSS055N08N, SKD503T, SKSS042N10N, SKST065N08N, SKSS063N08N, SKTT077N07N, AS2308, AS2309