SKD502T - описание и поиск аналогов

 

SKD502T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SKD502T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1057 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SKD502T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKD502T даташит

 ..1. Size:601K  crhj
 skd502t skss055n08n.pdf pdf_icon

SKD502T

SKD502T, SKSS055N08N SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

 9.1. Size:569K  crhj
 skd503t skss042n10n.pdf pdf_icon

SKD502T

SKD503T, SKSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 3.6m ID Qualified according to JEDEC criteria 120A Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100%

Другие MOSFET... CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , AO3400A , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , SKTT077N07N , AS2308 , AS2309 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.