SKD503T Todos los transistores

 

SKD503T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKD503T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 952 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO220

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SKD503T datasheet

 ..1. Size:569K  crhj
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SKD503T

SKD503T, SKSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 3.6m ID Qualified according to JEDEC criteria 120A Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100%

 9.1. Size:601K  crhj
 skd502t skss055n08n.pdf pdf_icon

SKD503T

SKD502T, SKSS055N08N SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

Otros transistores... CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , STP65NF06 , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , SKTT077N07N , AS2308 , AS2309 , AS2310 , AS2312 .

History: UPA1901 | P0465CIS

 

 

 

 

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