Справочник MOSFET. SKD503T

 

SKD503T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SKD503T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 952 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SKD503T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKD503T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  crhj
 skd503t skss042n10n.pdf pdf_icon

SKD503T

SKD503T, SKSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)3.6mID Qualified according to JEDEC criteria 120AApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%

 9.1. Size:601K  crhj
 skd502t skss055n08n.pdf pdf_icon

SKD503T

SKD502T, SKSS055N08NSkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes

Другие MOSFET... CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , IRFZ48N , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , SKTT077N07N , AS2308 , AS2309 , AS2310 , AS2312 .

History: AOD4156 | SIR850DP

 

 
Back to Top

 


 
.