SKST065N08N Todos los transistores

 

SKST065N08N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKST065N08N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 164 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SKST065N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  crhj
 skst065n08n skss063n08n.pdf pdf_icon

SKST065N08N

SKST065N08N, SKSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 105AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.6mID Qualified according to JEDEC criteria 105AApplications Motor control and drive100% Avala

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History: R6076ENZ1 | LNG5N65B | 2SK3353-S | SMF10N60 | SRC65R110B | LNH04R035B | SMF10N65

 

 
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