SKST065N08N Todos los transistores

 

SKST065N08N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKST065N08N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 164 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO220

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SKST065N08N datasheet

 ..1. Size:599K  crhj
 skst065n08n skss063n08n.pdf pdf_icon

SKST065N08N

SKST065N08N, SKSS063N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m , 105A Features Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 5.6m ID Qualified according to JEDEC criteria 105A Applications Motor control and drive 100% Avala

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