SKST065N08N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SKST065N08N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SKST065N08N
SKST065N08N Datasheet (PDF)
skst065n08n skss063n08n.pdf
SKST065N08N, SKSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 105AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.6mID Qualified according to JEDEC criteria 105AApplications Motor control and drive100% Avala
Другие MOSFET... CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N , 7N60 , SKSS063N08N , SKTT077N07N , AS2308 , AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 .
History: SI2300A | FC694309
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda


