AS3019E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS3019E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-523
Búsqueda de reemplazo de AS3019E MOSFET
AS3019E Datasheet (PDF)
as3019e.pdf

AS3019E N-Channel SMD MOSFET ESD ProtectionProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 8@4V 30V 0.1A 13@2.5V Feature Application Low on-resistance Interfacing Fast switching speed Switching Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Package Circuit diagram DGSSOT-523 Marking K N Document ID Issued D
Otros transistores... AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 , AS2328 , AS2333 , AS2341 , AO4468 , AS3100 , AS3400 , AS3403 , AS3404 , AS3407 , AS3409 , AS3415E , AS3416E .
History: KF8N60F | STS8217 | AP85T08GP | SDM9435A | LS3955 | SDM9926 | SI2307CDS
History: KF8N60F | STS8217 | AP85T08GP | SDM9435A | LS3955 | SDM9926 | SI2307CDS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
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