AS3019E Todos los transistores

 

AS3019E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS3019E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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AS3019E Datasheet (PDF)

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AS3019E

AS3019E N-Channel SMD MOSFET ESD ProtectionProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 8@4V 30V 0.1A 13@2.5V Feature Application Low on-resistance Interfacing Fast switching speed Switching Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Package Circuit diagram DGSSOT-523 Marking K N Document ID Issued D

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