Справочник MOSFET. AS3019E

 

AS3019E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AS3019E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для AS3019E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS3019E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  anbon
 as3019e.pdf pdf_icon

AS3019E

AS3019E N-Channel SMD MOSFET ESD ProtectionProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 8@4V 30V 0.1A 13@2.5V Feature Application Low on-resistance Interfacing Fast switching speed Switching Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Package Circuit diagram DGSSOT-523 Marking K N Document ID Issued D

Другие MOSFET... AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 , AS2328 , AS2333 , AS2341 , HY1906P , AS3100 , AS3400 , AS3403 , AS3404 , AS3407 , AS3409 , AS3415E , AS3416E .

History: JSM2050 | AMA922N | SI1031R | RJK0822SPN | SPE65R360G | KHB4D0N65P

 

 
Back to Top

 


 
.