AS3019E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AS3019E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: SOT-523
Аналог (замена) для AS3019E
AS3019E Datasheet (PDF)
as3019e.pdf

AS3019E N-Channel SMD MOSFET ESD ProtectionProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 8@4V 30V 0.1A 13@2.5V Feature Application Low on-resistance Interfacing Fast switching speed Switching Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Package Circuit diagram DGSSOT-523 Marking K N Document ID Issued D
Другие MOSFET... AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 , AS2328 , AS2333 , AS2341 , AO4468 , AS3100 , AS3400 , AS3403 , AS3404 , AS3407 , AS3409 , AS3415E , AS3416E .
History: IRLI630GPBF | AP85T08GP | SDM9435A | LS3955 | SI2307CDS | KF8N60F | BRFL10N60
History: IRLI630GPBF | AP85T08GP | SDM9435A | LS3955 | SI2307CDS | KF8N60F | BRFL10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b