AS4375 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS4375
Código: C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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AS4375 Datasheet (PDF)
as4375.pdf
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AS4375 P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 80m@-10V -40V -3A 120m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking C 3 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.
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