AS4375 Todos los transistores

 

AS4375 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AS4375

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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AS4375 datasheet

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AS4375

AS4375 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 80m @-10V -40V -3A 120m @-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking C 3 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.

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