AS4375 Todos los transistores

 

AS4375 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS4375
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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AS4375 Datasheet (PDF)

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AS4375

AS4375 P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 80m@-10V -40V -3A 120m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking C 3 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.

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