Справочник MOSFET. AS4375

 

AS4375 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AS4375
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AS4375

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS4375 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  anbon
 as4375.pdf pdf_icon

AS4375

AS4375 P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 80m@-10V -40V -3A 120m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking C 3 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.

Другие MOSFET... AS3416E , AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , IRFP460 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S .

History: HYG060N08NS1B | NP100N04MUH | HYG050N13NS1B6 | ME200N04T-G | NTMFS4854NS | KI9926A

 

 
Back to Top

 


 
.