AS4375 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AS4375
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для AS4375
AS4375 Datasheet (PDF)
as4375.pdf
AS4375 P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 80m@-10V -40V -3A 120m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking C 3 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.
Другие MOSFET... AS3416E , AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , IRF640 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S .
History: 2SK3643 | ZXMP6A13F | SML6060CN | AS60N20S | ZXMP6A18K
History: 2SK3643 | ZXMP6A13F | SML6060CN | AS60N20S | ZXMP6A18K
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283


