AS4435S Todos los transistores

 

AS4435S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AS4435S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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AS4435S datasheet

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AS4435S

AS4435S P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 20m @-10V -30V -11A 35m @-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch High Density Cell Design For Ultra Low Battery Switch On-Resistance Power management Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 4435 XXXXX S S S G Document ID Issued Date Revi

Otros transistores... AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , IRF1404 , AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S .

History: IPA60R520C6 | MTD5P06VT4G | SSF80R360S2

 

 

 

 

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