AS4435S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AS4435S
   Código: 4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AS4435S

AS4435S Datasheet (PDF)

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as4435s.pdf

AS4435S P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 20m@-10V -30V -11A 35m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch High Density Cell Design For Ultra Low Battery Switch On-Resistance Power management Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 4435 XXXXX S S S G Document ID Issued Date Revi

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Liste

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