AS4435S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AS4435S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
AS4435S Datasheet (PDF)
..1. Size:834K anbon
as4435s.pdf
as4435s.pdf
AS4435S P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 20m@-10V -30V -11A 35m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch High Density Cell Design For Ultra Low Battery Switch On-Resistance Power management Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 4435 XXXXX S S S G Document ID Issued Date Revi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: G16P03
