Справочник MOSFET. AS4435S

 

AS4435S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AS4435S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для AS4435S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS4435S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  anbon
 as4435s.pdf pdf_icon

AS4435S

AS4435S P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 20m@-10V -30V -11A 35m@-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch High Density Cell Design For Ultra Low Battery Switch On-Resistance Power management Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 4435 XXXXX S S S G Document ID Issued Date Revi

Другие MOSFET... AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , IRF1404 , AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S .

History: AM20P15-160D | SVS80R430FJHE3 | BSB104N08NP3G | 2SK187 | HM603K | DN2450 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.