AS60N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS60N20S
Código: 6020AS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 67 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AS60N20S
AS60N20S Datasheet (PDF)
as60n20s.pdf
AS60N20S N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 4.5m@10V 60V 20A 5.4m@4.5V Feature Application Advanced trench process technology DC/DC Converter High Density Cell Design For Ultra Low Ideal for high-frequency switching and On-Resistance synchronous rectification Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 6020AS S S S G
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HGS095NE4SL | NTMFS0D9N03CGT1G
