Справочник MOSFET. AS60N20S

 

AS60N20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AS60N20S
   Маркировка: 6020AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 680 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для AS60N20S

 

 

AS60N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1425K  anbon
 as60n20s.pdf

AS60N20S AS60N20S

AS60N20S N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 4.5m@10V 60V 20A 5.4m@4.5V Feature Application Advanced trench process technology DC/DC Converter High Density Cell Design For Ultra Low Ideal for high-frequency switching and On-Resistance synchronous rectification Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 6020AS S S S G

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top