AS60N20S - описание и поиск аналогов

 

AS60N20S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AS60N20S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для AS60N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS60N20S даташит

 ..1. Size:1425K  anbon
 as60n20s.pdf pdf_icon

AS60N20S

AS60N20S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 4.5m @10V 60V 20A 5.4m @4.5V Feature Application Advanced trench process technology DC/DC Converter High Density Cell Design For Ultra Low Ideal for high-frequency switching and On-Resistance synchronous rectification Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 6020AS S S S G

Другие MOSFET... AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , IRFB4110 , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S .

History: AS4606BS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.