Справочник MOSFET. AS60N20S

 

AS60N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AS60N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для AS60N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS60N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1425K  anbon
 as60n20s.pdf pdf_icon

AS60N20S

AS60N20S N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 4.5m@10V 60V 20A 5.4m@4.5V Feature Application Advanced trench process technology DC/DC Converter High Density Cell Design For Ultra Low Ideal for high-frequency switching and On-Resistance synchronous rectification Package Circuit diagram SOP-8 Marking D D D D 6020AS S S S G

Другие MOSFET... AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , IRF640N , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S .

History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6

 

 
Back to Top

 


 
.