AS8205M Todos los transistores

 

AS8205M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS8205M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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AS8205M Datasheet (PDF)

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AS8205M

AS8205M N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 23m@4.5V 20V 5A 27m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205 S1 D1/D2 S2 Document ID Issued Date Revised

Otros transistores... AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , IRFP260N , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S .

History: KHB3D0N90F1 | LSD60R380HT | AP2311GN | KHB2D0N60P

 

 
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