AS8205M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS8205M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: SOT-23-6L
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AS8205M datasheet
as8205m.pdf
AS8205M N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 23m @4.5V 20V 5A 27m @2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205 S1 D1/D2 S2 Document ID Issued Date Revised
Otros transistores... AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , IRF640N , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S .
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