AS8205M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AS8205M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6L
Аналог (замена) для AS8205M
AS8205M Datasheet (PDF)
as8205m.pdf
AS8205M N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 23m@4.5V 20V 5A 27m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205 S1 D1/D2 S2 Document ID Issued Date Revised
Другие MOSFET... AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , IRF640N , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S .
History: ZXMP6A18DN8 | STH270N4F3-6 | HU60N03 | STI12N65M5 | RF4E075AT | SM1A12DSK | SM1A01NSU
History: ZXMP6A18DN8 | STH270N4F3-6 | HU60N03 | STI12N65M5 | RF4E075AT | SM1A12DSK | SM1A01NSU
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710


