AF10N60S Todos los transistores

 

AF10N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF10N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

AF10N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1903K  anbon
 at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdf pdf_icon

AF10N60S

 8.1. Size:1737K  anbon
 at10n65s af10n65s ak10n65s ag10n65s.pdf pdf_icon

AF10N60S

 9.1. Size:700K  fairchild semi
 fqaf10n80.pdf pdf_icon

AF10N60S

TMQFETFQAF10N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.7A, 800V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 24 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HYG032N03LR1C1 | IRFR9220 | BFC23 | FDMC8327L | SIR496DP | BSC059N04LSG | AO4914

 

 
Back to Top

 


 
.