AF10N60S Todos los transistores

 

AF10N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF10N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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AF10N60S Datasheet (PDF)

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 at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdf pdf_icon

AF10N60S

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 9.1. Size:700K  fairchild semi
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AF10N60S

TMQFETFQAF10N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.7A, 800V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 24 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

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History: NP83P06PDG | KI1400DL | APT80F60J | SI4825DY | ME15N25 | VS8068AD | AP65SL190AP

 

 
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