AF10N60S - описание и поиск аналогов

 

AF10N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AF10N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AF10N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF10N60S даташит

 ..1. Size:1903K  anbon
 at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdf pdf_icon

AF10N60S

 8.1. Size:1737K  anbon
 at10n65s af10n65s ak10n65s ag10n65s.pdf pdf_icon

AF10N60S

 9.1. Size:700K  fairchild semi
 fqaf10n80.pdf pdf_icon

AF10N60S

TM QFET FQAF10N80 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.7A, 800V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 24 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fa

Другие MOSFET... AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AO3400 , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.