AF10N65S Todos los transistores

 

AF10N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF10N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de AF10N65S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AF10N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1737K  anbon
 at10n65s af10n65s ak10n65s ag10n65s.pdf pdf_icon

AF10N65S

 8.1. Size:1903K  anbon
 at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdf pdf_icon

AF10N65S

 9.1. Size:700K  fairchild semi
 fqaf10n80.pdf pdf_icon

AF10N65S

TMQFETFQAF10N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.7A, 800V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 24 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

Otros transistores... AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , IRFB4110 , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S .

History: IRF421 | IXFL34N100 | HM4487A

 

 
Back to Top

 


 
.