AF10N65S Todos los transistores

 

AF10N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF10N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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AF10N65S Datasheet (PDF)

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AF10N65S

TMQFETFQAF10N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.7A, 800V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 24 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

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