Справочник MOSFET. AF10N65S

 

AF10N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AF10N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для AF10N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF10N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1737K  anbon
 at10n65s af10n65s ak10n65s ag10n65s.pdf pdf_icon

AF10N65S

 8.1. Size:1903K  anbon
 at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdf pdf_icon

AF10N65S

 9.1. Size:700K  fairchild semi
 fqaf10n80.pdf pdf_icon

AF10N65S

TMQFETFQAF10N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.7A, 800V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 24 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

Другие MOSFET... AS4606BS , AS60N20S , AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , IRFB4110 , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S .

 

 
Back to Top

 


 
.