AF12N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AF12N65S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AF12N65S
AF12N65S Datasheet (PDF)
fqaf12n60.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF12N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.8A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been
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Liste
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