AF12N65S Todos los transistores

 

AF12N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AF12N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de AF12N65S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AF12N65S datasheet

 ..1. Size:1850K  anbon
 at12n65s af12n65s ak12n65s ag12n65s.pdf pdf_icon

AF12N65S

 8.1. Size:537K  fairchild semi
 fqaf12n60.pdf pdf_icon

AF12N65S

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.8A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been

Otros transistores... AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , 8205A , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S .

History: AK12N65S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.