AF12N65S Todos los transistores

 

AF12N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF12N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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AF12N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1850K  anbon
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AF12N65S

 8.1. Size:537K  fairchild semi
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AF12N65S

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF12N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.8A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been

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History: CS3207 | SIHFI720G | SM2300NSAC

 

 
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