AF12N65S - аналоги и даташиты транзистора

 

AF12N65S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AF12N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для AF12N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF12N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1850K  anbon
 at12n65s af12n65s ak12n65s ag12n65s.pdf pdf_icon

AF12N65S

 8.1. Size:537K  fairchild semi
 fqaf12n60.pdf pdf_icon

AF12N65S

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF12N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.8A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , 2SK3878 , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S .

History: RUH1H300T | ST2305 | 2SK2635

 

 
Back to Top

 


 
.