AF12N65S - описание и поиск аналогов

 

AF12N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AF12N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AF12N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF12N65S даташит

 ..1. Size:1850K  anbon
 at12n65s af12n65s ak12n65s ag12n65s.pdf pdf_icon

AF12N65S

 8.1. Size:537K  fairchild semi
 fqaf12n60.pdf pdf_icon

AF12N65S

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.8A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been

Другие MOSFET... AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , 8205A , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S .

History: KP746B | AO6801E | FK8V0306

 

 

 

 

↑ Back to Top
.