AT14N15S Todos los transistores

 

AT14N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AT14N15S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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AT14N15S datasheet

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AT14N15S

AT14N15S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 150V 6.2m @10V 140A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC Converter Fully characterized avalanche voltage and current Ideal for high-frequency switching and Good stability and uniformity with high EAS synchronous rectification Excellent package for good

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