AT14N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AT14N15S
   Código: T14N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

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AT14N15S Datasheet (PDF)

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at14n15s.pdf

AT14N15S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 150V 6.2m@10V 140A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC Converter Fully characterized avalanche voltage and current Ideal for high-frequency switching and Good stability and uniformity with high EAS synchronous rectification Excellent package for good

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History: IPD70R600CE | SP3901

Liste

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