AT14N15S - аналоги и даташиты транзистора

 

AT14N15S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AT14N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для AT14N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AT14N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  anbon
 at14n15s.pdf pdf_icon

AT14N15S

AT14N15S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 150V 6.2m@10V 140A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC Converter Fully characterized avalanche voltage and current Ideal for high-frequency switching and Good stability and uniformity with high EAS synchronous rectification Excellent package for good

Другие MOSFET... AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , 7N65 , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S .

 

 
Back to Top

 


 
.