Справочник MOSFET. AT14N15S

 

AT14N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AT14N15S
   Маркировка: T14N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для AT14N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AT14N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  anbon
 at14n15s.pdf pdf_icon

AT14N15S

AT14N15S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 150V 6.2m@10V 140A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC Converter Fully characterized avalanche voltage and current Ideal for high-frequency switching and Good stability and uniformity with high EAS synchronous rectification Excellent package for good

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.