AT14N15S - описание и поиск аналогов

 

AT14N15S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AT14N15S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для AT14N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AT14N15S даташит

 ..1. Size:1189K  anbon
 at14n15s.pdf pdf_icon

AT14N15S

AT14N15S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 150V 6.2m @10V 140A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson DC/DC Converter Fully characterized avalanche voltage and current Ideal for high-frequency switching and Good stability and uniformity with high EAS synchronous rectification Excellent package for good

Другие MOSFET... AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , IRF630 , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.