AT7N65S Todos los transistores

 

AT7N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AT7N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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AT7N65S datasheet

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AT7N65S

AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5 @10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS

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AT7N65S

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