AT7N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AT7N65S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de AT7N65S MOSFET
AT7N65S Datasheet (PDF)
at7n65s.pdf
AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5@10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS
Otros transistores... AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , K3569 , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S .
History: HMS4444A | 2P980A | STE30NK90Z | FQD13N06LTF | PHN210T | AM4812 | STF20NK50Z
History: HMS4444A | 2P980A | STE30NK90Z | FQD13N06LTF | PHN210T | AM4812 | STF20NK50Z
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