AT7N65S - описание и поиск аналогов

 

AT7N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AT7N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для AT7N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AT7N65S даташит

 ..1. Size:880K  anbon
 at7n65s.pdf pdf_icon

AT7N65S

AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5 @10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS

 9.1. Size:1852K  anbon
 au7n60s ad7n60s at7n60s af7n60s ak7n60s ag7n60s.pdf pdf_icon

AT7N65S

Другие MOSFET... AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , IRF9540 , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.