AU10N65S Todos los transistores

 

AU10N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AU10N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251AB
 

 Búsqueda de reemplazo de AU10N65S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AU10N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1286K  anbon
 au10n65s.pdf pdf_icon

AU10N65S

AU10N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.3@10V 10A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-251AB Marking D U10N65S G D S Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS-3

Otros transistores... AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , 2N7000 , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S , AD4N60S .

History: AU2N60S | OSG65R200KF | SIR800DP

 

 
Back to Top

 


 
.