AU10N65S - описание и поиск аналогов

 

AU10N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AU10N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-251AB

Аналог (замена) для AU10N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AU10N65S даташит

 ..1. Size:1286K  anbon
 au10n65s.pdf pdf_icon

AU10N65S

AU10N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.3 @10V 10A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-251AB Marking D U10N65S G D S Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS-3

Другие MOSFET... AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AON7408 , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S , AD4N60S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.