Справочник MOSFET. AU10N65S

 

AU10N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AU10N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AB
 

 Аналог (замена) для AU10N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AU10N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1286K  anbon
 au10n65s.pdf pdf_icon

AU10N65S

AU10N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.3@10V 10A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-251AB Marking D U10N65S G D S Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS-3

Другие MOSFET... AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , 2N7000 , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S , AD4N60S .

History: SM6A09NSW | TPCP8101 | ME2325-G | C3M0120090J | SIA438EDJ | DMG4468LFG | IRFZ46NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.