AT7N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AT7N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 210 nC
Tiempo de subida (tr): 180 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AT7N60S
AT7N60S Datasheet (PDF)
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AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5@10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS
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