AT7N60S Todos los transistores

 

AT7N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AT7N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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AT7N60S Datasheet (PDF)

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AT7N60S

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AT7N60S

AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5@10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS

Otros transistores... AD5N65S , AT5N65S , AF5N65S , AK5N65S , AG5N65S , AU6N70S , AU7N60S , AD7N60S , STP80NF70 , AF7N60S , AK7N60S , AG7N60S , AU8N60S , AD8N60S , AT8N60S , AF8N60S , AK8N60S .

History: VBC6N2022 | VBC6N2014 | NCE0140IA | IRLR014NTRP | BLF245 | WMB053NV8HGS | VBE1106N

 

 
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