AT7N60S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AT7N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для AT7N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AT7N60S даташит

 ..1. Size:1852K  anbon
 au7n60s ad7n60s at7n60s af7n60s ak7n60s ag7n60s.pdf pdf_icon

AT7N60S

 9.1. Size:880K  anbon
 at7n65s.pdf pdf_icon

AT7N60S

AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5 @10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS

Другие IGBT... AD5N65S, AT5N65S, AF5N65S, AK5N65S, AG5N65S, AU6N70S, AU7N60S, AD7N60S, 10N65, AF7N60S, AK7N60S, AG7N60S, AU8N60S, AD8N60S, AT8N60S, AF8N60S, AK8N60S