Справочник MOSFET. AT7N60S

 

AT7N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AT7N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AT7N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1852K  anbon
 au7n60s ad7n60s at7n60s af7n60s ak7n60s ag7n60s.pdf pdf_icon

AT7N60S

 9.1. Size:880K  anbon
 at7n65s.pdf pdf_icon

AT7N60S

AT7N65S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 650V 1.5@10V 7A Feature Application Low Crss High efficiency switch mode power supplies Low gate charge Electronic lamp ballasts Fast switching UPS Package Circuit diagram TO-220AB Marking T7N65 XXXXX S G D Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS

Другие MOSFET... AD5N65S , AT5N65S , AF5N65S , AK5N65S , AG5N65S , AU6N70S , AU7N60S , AD7N60S , STP80NF70 , AF7N60S , AK7N60S , AG7N60S , AU8N60S , AD8N60S , AT8N60S , AF8N60S , AK8N60S .

 

 
Back to Top

 


 
.