11N65TFS Todos los transistores

 

11N65TFS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 11N65TFS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220F

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11N65TFS datasheet

 ..1. Size:503K  chongqing pingwei
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11N65TFS

11N65TFS 11N65TFS 11 Amps,650 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFET FEATURE TO-220TF 11A,650V,R =0.36 @V =10V/5.5A DS(ON)MAX GS Low gate charge Low C iss Fast switching 100% avalanche tested Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwise noted) C Parameter Symbol UNIT 11N65TFS Drain-Source Voltage V 650 DSS V Gate-Source Voltage V 30 GSS Con

 8.1. Size:4333K  goford
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11N65TFS

GC11N65 GOFORD Description VDS RDS (ON ) ID The GC11N 65 uses advanced super junction technology and @ (Max) 10V design to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with low gate voltages. This device is suitable for 650V 360m 11 A industry s AC-DC SMPS requirement for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application. General F

 8.2. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf pdf_icon

11N65TFS

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1 SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. S

 8.3. Size:382K  silan
 svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf pdf_icon

11N65TFS

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