11N65TFS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 11N65TFS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 11N65TFS

11N65TFS Datasheet (PDF)

..1. Size:503K chongqing pingwei
11n65tfs.pdf

11N65TFS11N65TFS11 Amps,650 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFETFEATURETO-220TF 11A,650V,R =0.36@V =10V/5.5ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche testedAbsolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol UNIT11N65TFSDrain-Source Voltage V 650DSSVGate-Source Voltage V 30GSSCon

8.1. Size:4333K goford
gc11n65t gc11n65f gc11n65k.pdf

GC11N65 GOFORD Description VDS RDS (ON ) ID The GC11N 65 uses advanced super junction technology and @ (Max) 10V design to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with low gate voltages. This device is suitable for 650V 360m 11 A industrys AC-DC SMPS requirement for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application. General F

8.2. Size:480K silan
svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf