4N65TF Todos los transistores

 

4N65TF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 4N65TF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de 4N65TF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

4N65TF datasheet

 ..1. Size:611K  chongqing pingwei
4n65tf.pdf pdf_icon

4N65TF

 0.1. Size:477K  chongqing pingwei
m4n65tf.pdf pdf_icon

4N65TF

M4N65TF 4 Amps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE TO-220TF 4A,650V,R =2.3 @V =10V/2A DS(ON)MAX GS Low gate charge Low C iss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwise noted) C Parameter Symbol UNIT M4N65TF Drain-Source Voltage V 650 DSS V Gate-Source Voltage V 30 GSS Continuous

 9.1. Size:376K  silan
svs14n65fjd2 svs14n65fd2 svs14n65td2 svs14n65sd2 svs14n65sd2tr.pdf pdf_icon

4N65TF

SVS14N65FJ(F)(T)(S)D2 14A, 650V MOS 2 1 SVS14N65FJ/F/T/SD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. SVS14N65FJ/

Otros transistores... 47N60YS , 4N60B , 4N60H , 4N65F , 4N65B , 4N65H , 4N65G , 4N65D , AO4468 , 50N06B , 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF .

History: 2SK3899 | FTK8810L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.