8N06D Todos los transistores

 

8N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 8N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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8N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  chongqing pingwei
 8n06g 8n06d.pdf pdf_icon

8N06D

8N06(G,D)7.5 Amps,60 Volts N-CHANNEL MOSFETFEATURE 7.5A,60V,R =82m@V =10V/4ADS(ON)MAX GSR =107m@V =4.5V/4ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityTO-252 TO-2518N06G 8N06DAbsolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol 8N06(G,D) UNITDrain-Source Voltage

Otros transistores... 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , IRF640 , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 .

History: SVS11N70FD2 | SSM3K12T | IXFH42N50P2 | UTD410 | AON3814 | AOL1426 | QH8KA1

 

 
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