8N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8N06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 8N06D
8N06D Datasheet (PDF)
..1. Size:472K chongqing pingwei
8n06g 8n06d.pdf
8n06g 8n06d.pdf
8N06(G,D)7.5 Amps,60 Volts N-CHANNEL MOSFETFEATURE 7.5A,60V,R =82m@V =10V/4ADS(ON)MAX GSR =107m@V =4.5V/4ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityTO-252 TO-2518N06G 8N06DAbsolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol 8N06(G,D) UNITDrain-Source Voltage
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
