8N06D Todos los transistores

 

8N06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 8N06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: TO251

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8N06D datasheet

 ..1. Size:472K  chongqing pingwei
 8n06g 8n06d.pdf pdf_icon

8N06D

8N06(G,D) 7.5 Amps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE 7.5A,60V,R =82m @V =10V/4A DS(ON)MAX GS R =107m @V =4.5V/4A DS(ON)MAX GS Low gate charge Low C iss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability TO-252 TO-251 8N06G 8N06D Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwise noted) C Parameter Symbol 8N06(G,D) UNIT Drain-Source Voltage

 0.1. Size:910K  cn minos
 mdt08n06d.pdf pdf_icon

8N06D

60V N-Channel Power MOSFET Description The MDT08N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

Otros transistores... 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , IRFP460 , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 .

 

 

 

 

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