Справочник MOSFET. 8N06D

 

8N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 8N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для 8N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  chongqing pingwei
 8n06g 8n06d.pdf pdf_icon

8N06D

8N06(G,D)7.5 Amps,60 Volts N-CHANNEL MOSFETFEATURE 7.5A,60V,R =82m@V =10V/4ADS(ON)MAX GSR =107m@V =4.5V/4ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityTO-252 TO-2518N06G 8N06DAbsolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol 8N06(G,D) UNITDrain-Source Voltage

Другие MOSFET... 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , IRF640 , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 .

History: NP90N055NDH | FQB5P20TM

 

 
Back to Top

 


 
.