8N06D - описание и поиск аналогов

 

8N06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8N06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для 8N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8N06D даташит

 ..1. Size:472K  chongqing pingwei
 8n06g 8n06d.pdf pdf_icon

8N06D

8N06(G,D) 7.5 Amps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE 7.5A,60V,R =82m @V =10V/4A DS(ON)MAX GS R =107m @V =4.5V/4A DS(ON)MAX GS Low gate charge Low C iss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability TO-252 TO-251 8N06G 8N06D Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwise noted) C Parameter Symbol 8N06(G,D) UNIT Drain-Source Voltage

 0.1. Size:910K  cn minos
 mdt08n06d.pdf pdf_icon

8N06D

60V N-Channel Power MOSFET Description The MDT08N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V, R

Другие MOSFET... 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , IRFP460 , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.