FS8205 Todos los transistores

 

FS8205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FS8205

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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FS8205 datasheet

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FS8205

REV. 1.7 FS8205-DS-17_EN NOV 2011 Datasheet FS8205 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Only FORTUNE' Properties Reference For FS8205 Fortune Semiconductor Corporation 28F.,No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Dist, New Taipei City 251, Taiwan Tel. 886-2-28094742 Fax 886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual conta

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FS8205

REV. 1.2 FS8205A-DS-12_EN AUG 2009 Datasheet FS8205A Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Only FSC Properties Reference For FS8205A Fortune Semiconductor Corporation 28F., No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Town, Taipei County 251, Taiwan Tel. 886-2-28094742 Fax 886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual contai

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FS8205

FS8205A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 25m @4.5V 20V 6A 32m @2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagram SOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205A S1 D1/D2 S2 www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1 FS

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