FS8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FS8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FS8205

FS8205 Datasheet (PDF)

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REV. 1.7 FS8205-DS-17_EN NOV 2011 Datasheet FS8205 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET OnlyFORTUNE'PropertiesReferenceForFS8205 Fortune Semiconductor Corporation 28F.,No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Dist, New Taipei City 251, Taiwan Tel.886-2-28094742 Fax886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual conta

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REV. 1.2 FS8205A-DS-12_EN AUG 2009Datasheet FS8205A Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET OnlyFSCPropertiesReferenceForFS8205A Fortune Semiconductor Corporation 28F., No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Town, Taipei County 251, Taiwan Tel.886-2-28094742 Fax886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual contai

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FS8205AN-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 25m@4.5V 20V 6A 32m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagramSOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205AS1 D1/D2 S2 www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS

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