FS8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FS8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
FS8205 Datasheet (PDF)
fs8205.pdf
REV. 1.7 FS8205-DS-17_EN NOV 2011 Datasheet FS8205 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET OnlyFORTUNE'PropertiesReferenceForFS8205 Fortune Semiconductor Corporation 28F.,No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Dist, New Taipei City 251, Taiwan Tel.886-2-28094742 Fax886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual conta
fs8205a.pdf
REV. 1.2 FS8205A-DS-12_EN AUG 2009Datasheet FS8205A Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET OnlyFSCPropertiesReferenceForFS8205A Fortune Semiconductor Corporation 28F., No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Town, Taipei County 251, Taiwan Tel.886-2-28094742 Fax886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual contai
fs8205a.pdf
FS8205AN-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 25m@4.5V 20V 6A 32m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagramSOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205AS1 D1/D2 S2 www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918