FMD5N50E5 Todos los transistores

 

FMD5N50E5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMD5N50E5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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FMD5N50E5 datasheet

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FMD5N50E5

FMD5N50E5 Silicon N-Channel Power MOSFET General Description FMD5N50E5, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, VDSS 500 V is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce ID 5 A the conduction loss, improve switching performance and Trr 85 ns enhance the avalanche energy. The transistor can be used in RDS(ON)Typ 1.25 various power switching circuit

Otros transistores... 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , IRF1404 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E .

 

 

 

 

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