FMD5N50E5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMD5N50E5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 79 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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FMD5N50E5 Datasheet (PDF)
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FMD5N50E5 Silicon N-Channel Power MOSFET General Description FMD5N50E5, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, VDSS 500 V is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce ID 5 A the conduction loss, improve switching performance and Trr 85 ns enhance the avalanche energy. The transistor can be used in RDS(ON)Typ 1.25 various power switching circuit
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