Справочник MOSFET. FMD5N50E5

 

FMD5N50E5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMD5N50E5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FMD5N50E5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMD5N50E5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  fortior tech
 fmd5n50e5.pdf pdf_icon

FMD5N50E5

FMD5N50E5 Silicon N-Channel Power MOSFET General Description FMD5N50E5, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, VDSS 500 V is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce ID 5 A the conduction loss, improve switching performance and Trr 85 ns enhance the avalanche energy. The transistor can be used in RDS(ON)Typ 1.25 various power switching circuit

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF350

 

 
Back to Top

 


 
.