FMD5N50E5 - описание и поиск аналогов

 

FMD5N50E5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMD5N50E5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FMD5N50E5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMD5N50E5 даташит

 ..1. Size:731K  fortior tech
 fmd5n50e5.pdf pdf_icon

FMD5N50E5

FMD5N50E5 Silicon N-Channel Power MOSFET General Description FMD5N50E5, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, VDSS 500 V is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce ID 5 A the conduction loss, improve switching performance and Trr 85 ns enhance the avalanche energy. The transistor can be used in RDS(ON)Typ 1.25 various power switching circuit

Другие MOSFET... 5N70GS , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , IRF1404 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E .

History: HY1808APS | STY130NF20D | KDS8928A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.