FKD3006 Todos los transistores

 

FKD3006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FKD3006
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FKD3006 Datasheet (PDF)

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FKD3006

FKD3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 80A Advanced high cell density Trench technology Description TO252 Pin Configuration The FKD3006 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, wh

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History: SM2306 | FDM100-0045SP | TD422BL | LSGE10R080W3 | SPP80N05L | HUF75831SK8T | FMV10N80E

 

 
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