FKD3006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FKD3006
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 53 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 267 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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FKD3006 Datasheet (PDF)
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FKD3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 80A Advanced high cell density Trench technology Description TO252 Pin Configuration The FKD3006 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, wh
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