Справочник MOSFET. FKD3006

 

FKD3006 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FKD3006
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FKD3006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  fetek
 fkd3006.pdf pdf_icon

FKD3006

FKD3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 80A Advanced high cell density Trench technology Description TO252 Pin Configuration The FKD3006 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, wh

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FK14SM-9 | SWD088R08E8T | IPB09N03LAG | WMLL020N10HG4 | DTU40N06 | IRFIZ44G | STU6025NL

 

 
Back to Top

 


 
.