DM4N65E Todos los transistores

 

DM4N65E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DM4N65E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220 TO262 TO263

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DM4N65E datasheet

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DM4N65E

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM4N65E RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

Otros transistores... M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , IRFB4227 , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C .

History: S70N08RP | HM100P03 | 7N60DS

 

 

 

 

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